為什么對射頻同軸連接器的電壓駐波比要求變高了

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 射頻同軸連接器是無線電電子設備和儀表中必不可少甚至是關鍵的電子元件。電壓駐波比是射頻同軸連接器的一項極重要的電氣參數。  隨著科學技術的進步，對射頻同軸連接器電壓駐波比提出了越來越高的要求。許多連接器專家為此竭盡努力，取得了顯著的進展。到了七十年代中后期，射頻同軸連接器的發展在國際上達到鼎盛時期，其主要標志是相繼研制出21mm、14mm、7mm和3.5mm精密同軸連接器和各種精密轉接器，工程用射頻同軸連接器的電壓駐波比性能也有顯著提高，掃頻測量取代了點頻測量，并且出現了時域測量技術。在國內，隨著微波通信技術和測量方法的進步，分米波電視的發展，對連接器電壓駐波比的要求也越來越高，如要求研制工作在0～18GHz駐波比小于1.30的SMA連接器、0～18GHz駐波比小于1.40的連接器電纜組件、0～1GHz駐波比小于1.05的分米波連接器以及駐波比小于1.02的各種精密轉接器。研制工作到40GHz駐波比小于1.50的毫米波連接器也提到議事日程上，本研究的目的在于為研制寬頻帶低駐波比射頻同軸連接器提供設計依據。反射系數主要與傳輸線的阻抗均勻性有關。簡單地說，在連接器內，凡阻抗偏離標稱特性阻抗值的地方，都會引起反射。  射頻同軸連接器實質上是一段帶有連接機構、電纜夾緊裝置和其他裝置的非均勻同軸線。以直式連接器為例，與均勻同軸線相比，它有三處明顯的不均勻：絕緣支撐區域、導體尺寸過渡區域和連接器到電纜的結合部。在這些地方，都存在著導體直徑尺寸或導體形狀的變化，因而出現了不連續電容，引起反射。還有一些引起反射的其他因素，例如導體連接間隙、導體直徑尺寸偏差、內外導體偏心率、接觸件上的槽縫、介質介電常數偏差和導體表面粗糙度等等。但上述三處卻是連接器內部的三大反射源，只要把它們引起的反射降低到可以容許的程度，其他的就不難解決了。射頻同軸連接器幾乎都有絕緣支撐，支撐的結構型式很多， 普遍采用的有如圖1所示的兩種。由于支撐的介入，勢必發生導體直徑尺寸的階梯突變，破壞了傳輸線的均勻性。從 理論分析可知[1] ，同軸線導體直徑尺寸的突變，等效于在突變截面上并聯一個不連續電容， 這個電容可提供的公式精確計算。為消除不連續電容引起的反射，必須采取補償措施，其方法有兩種：一種是高抗補償，另一種是共面補償在轉接器或電纜連接器中，由于接口尺寸的差別，也不可避免地存在著導體截面尺寸由小變大或由大變小的過渡。為了把過渡段不連續電容引起的反射減至 小，通常有三種過渡方式：直角過渡、錐形過渡和拋物線過渡。后兩種過渡方式由于加工復雜，精度難以保證而越來越少被采用。相反，由于加工方便，精度容易控制，在現行的連接器(包括精密型)中幾乎都采用如圖3所示的直角過渡型式。這種過渡的原理是通過錯開內外導體直徑突。

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